[发明专利]反应烧结碳化硅陶瓷均温板

权利要求书

1.反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，其制造方法包括以下步骤：

制备粉料：将碳与碳化硅按1:（2~5）的质量比混合后，加入总质量1%~4%的硬脂酸锌作为润滑剂，总质量15%~25%的聚乙烯醇作为粘接剂，喷雾造粒，得到粉料；

压制坯块；

真空烧结：在坯块表面放置相对坯块重量30～40%的硅粉，进行反应烧结；在28～36h时间段内，抽真空升温加热到1800～1900℃，经渗硅、恒温，然后充氦气降温至1100～1200℃，再充氮气降温到120℃以下；

氧化烧结：将得到的均温板进行氧化烧结；在200～250h时间段内，缓慢升温至1100～1200℃，恒温24h，再缓慢降温至120℃以下。

2.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述制备粉料的步骤中，得到的粉料的含水量为2～5%。

3.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述碳与碳化硅的质量比为1:4。

4.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述润滑剂的加入量为总质量的2%。

5.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述粘接剂的加入量为总质量的20%。

6.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述压制坯块的步骤之后还包括素坯加工成型的步骤。

7.如权利要求6所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述素坯加工成型的步骤之后还包括修整的步骤，修整的目的在于消除素坯的表面缺陷。

8.如权利要求7所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述修整的步骤之后还包括烘干的步骤，具体包括：进行温度60～70℃、 时间24～48h的低温干燥，再进行温度80～100℃，时间为12～24h的高温干燥。

9.如权利要求1所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述真空烧结的步骤之后还包括杂质清理的步骤，杂质清理是为了对出炉成品各表面的残余陪烧物杂质进行清除。

10.如权利要求9所述的反应烧结碳化硅陶瓷均温板，其特征是，所述杂质清理的步骤之后还包括研磨加工的步骤：研磨加工后达到外形尺寸公差≤±0.5mm，上、下表面粗糙度≤6.3μm。