[发明专利]有机发光显示装置以及制造该装置的方法在审
申请号: | 201510330417.9 | 申请日: | 2012-12-17 |
公开(公告)号: | CN105185807A | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 金禾景;安炳喆;韩敞旭;南宇镇;崔晎硕;卓润兴;高杉亲知 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种有机发光显示装置的制造方法以及由该方法所制造的有机发光显示装置。所述方法包括计算红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素和白色子像素每个的峰值亮度电流密度,计算红色子像素、蓝色子像素、绿色子像素和白色子像素每个的平均使用电流密度;利用所述峰值亮度电流密度和平均使用电流密度来确定每个子像素的尺寸,以及以所确定的各子像素的尺寸来形成所述子像素。本发明考虑了峰值亮度电流密度和平均使用电流密度来设定每个子像素的尺寸,由此易于实现峰值亮度并提高色彩坐标寿命。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 以及 制造 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种有机发光显示装置,包括:形成在基板上的红色子像素;形成在所述基板上的蓝色子像素;形成在所述基板上的绿色子像素;和形成在所述基板上的白色子像素,其中在所述子像素中,具有最大面积的子像素是具有最高峰值亮度电流密度的子像素和具有最高平均使用电流密度的子像素之中的一个,具有第二大面积的子像素是具有所述最高峰值亮度电流密度的子像素和所述具有最高平均使用电流密度的子像素中的另一个,所述峰值亮度电流密度是所述子像素为实现预定最大峰值的峰值亮度所需的电流密度,并且所述平均使用电流密度是在再现普通图像时,根据累计使用时间和每个子像素的使用频率平均所需的电流密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的