[发明专利]一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 201510323372.2 | 申请日： | 2015-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN104926310B | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 刘桂玲;苏碧哲;黄政仁;刘学建;陈忠明;杨勇;姚秀敏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/63 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体及其制备方法，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛、并干压成型得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空条件、600℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷素坯在氮气气氛、1500℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯研磨过筛，即得到氮化铝和碳改性的碳化硅陶瓷粉体。采用本发明方法制备的氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体中，氮化铝固溶进入碳化硅晶格，后期烧结实验结果表明粉体烧结活性得到了提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 改性 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体的制备方法，其特征在于，包括：1）将铝源、碳源、碳化硅粉体和无水乙醇均匀混合后烘干、研磨过筛、并干压成型得到陶瓷素坯；2）将陶瓷素坯在真空条件、600℃～1050℃下加热裂解；3）将热裂解后的陶瓷素坯在氮气气氛、1500℃～1750℃下进行碳热还原反应；4）将碳热还原反应后的陶瓷素坯研磨过筛，即得到氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体，所得氮化铝改性的碳化硅陶瓷粉体中，按重量百分比计算，氮化铝为0.5～8wt%，碳为0.5～6wt%，剩余为碳化硅。
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