[发明专利]一种制作纳米线的方法

摘要

本发明实施例公开了一种制作纳米线的方法，包括：在衬底上表面沉积生长第一牺牲物，沿第一牺牲物的N个外表面沉积生长第一隔离物，以第一隔离物为掩模各向异性刻蚀衬底，移除第一隔离物，得到第一组半导体鳍条，使用填充物填充衬底被刻蚀的部分，在被填充后的衬底的上表面沉积生长第二牺牲物，第二牺牲物的Y个外表面分别与第一组半导体鳍条中各个半导体鳍条形成有预设交叉角度，沿第二牺牲物的Y个外表面沉积生长第二隔离物，以第二隔离物为掩模各向异性刻蚀被填充后的衬底，得到纳米线。这样，以隔离物为掩模对衬底进行刻蚀从而生成纳米线的方法，制作出具有高均匀性、低关键尺寸抖动以及高工艺稳定性的纳米线。

主权项

1.一种制作纳米线的方法，其特征在于，包括：设置衬底；在所述衬底上表面沉积生长预设模板形状的第一牺牲物，所述第一牺牲物为实体且包括M个与所述衬底垂直的外表面，所述M大于1；在所述M个与所述衬底垂直的外表面中按照预定规则选择N个外表面用于为第一隔离物的生长提供模板，所述N大于1且小于等于M；沿第一牺牲物的所述N个外表面沉积生长预设厚度的第一隔离物，所述预设厚度的第一隔离物的下方仍有所述衬底；移除所述第一牺牲物；以所述预设厚度的第一隔离物为掩模各向异性刻蚀所述衬底；移除所述预设厚度的第一隔离物，得到第一组半导体鳍条；使用填充物填充所述衬底被刻蚀的部分，使得被填充后的衬底与未被刻蚀时的衬底形状一样，所述填充物与所述衬底能够被同种预定刻蚀材料刻蚀；在所述被填充后的衬底的上表面沉积生长预设模板形状的第二牺牲物，所述第二牺牲物为实体且包括X个与所述被填充后的衬底垂直的外表面，所述X大于1；在所述X个与所述被填充后的衬底垂直的外表面中按照预定规则选择Y个外表面用于为第二隔离物的生长提供模板，所述Y大于1且小于等于X；第二牺牲物的所述Y个外表面分别与所述第一组半导体鳍条中各个半导体鳍条形成有预设交叉角度；沿第二牺牲物的所述Y个外表面沉积生长预设厚度的第二隔离物，所述预设厚度的第二隔离物的下方仍有所述被填充后的衬底；移除所述第二牺牲物；以所述预设厚度的第二隔离物为掩模各向异性刻蚀所述被填充后的衬底；移除所述预设厚度的第二隔离物，得到第二组半导体鳍条；移除所述填充物，得到纳米线。