[发明专利]一种钆钡铜氧薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种钆钡铜氧薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态；2)称取适量的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钆，双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜，置于原料罐中；3)将基板加热，控制原料罐的温度；4)将先驱体原料以及氧化气通入反应室内；5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)实现了钆钡铜氧薄膜的快速制备，提高了生产效率；2)提高钆钡铜氧薄膜的超导性能，为其应用提供相应的理论基础。

主权项

一种钆钡铜氧薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)选取氧化铝作为沉积基板，将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态；(2)称取适量的三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)钆，双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铜，将上述三种先驱体原料分别置于相应的原料罐中；(3)将氧化铝基板加热至1000～1100℃，控制上述先驱体三(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)钆，双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6‑四甲基‑3,5‑庚二酮酸)铜的原料罐的温度分别在200～230℃，320～340℃和180～200℃范围内；(4)利用载流气体将先驱体原料以及氧化气通入反应室内，调节并控制反应室内的压强和反应时间；(5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可在氧化铝基板上得到钆钡铜氧薄膜。