[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

摘要

本发明公开了一种具有固态图像传感器的半导体器件的制造方法。固态图像传感器通过多次曝光对整个芯片进行分割曝光处理而形成，由此便可提高固态图像传感器的性能，所述固态图像传感器包括在像素阵列部配置有多个像素的多个光电二极管。在制造固态图像传感器时而进行的分割曝光过程中，将分割曝光区域的边界线DL规定在像素PE2的有源区AR内按第1方向排列的光电二极管PD1和光电二极管PD2之间、且沿着与第1方向垂直相交的第2方向排列。

主权项

一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述半导体器件具有固态图像传感器，所述固态图像传感器包括具有第1光电二极管及第2光电二极管的多个像素，其中，所述半导体器件的制造方法包括如下工序：工序(a)，即准备衬底的工序，所述衬底的上表面上具有相互邻接的第1区域及第2区域；工序(b)，即在所述衬底上形成光致抗蚀剂膜的工序；工序(c)，即对所述第1区域的所述光致抗蚀剂膜进行曝光的工序；工序(d)，即对所述第2区域的所述光致抗蚀剂膜进行曝光的工序；工序(e)，即在所述工序(c)及所述工序(d)之后，通过对所述光致抗蚀剂膜进行显影，以对所述光致抗蚀剂膜进行构图的工序；工序(f)，即使用在所述工序(e)中进行构图后的所述光致抗蚀剂膜，在所述衬底上形成元件隔离结构的工序，所述元件隔离结构在所述衬底上划分出所述像素内的有源区；以及工序(g)，即在所述工序(f)之后，通过将杂质导入所述有源区内的所述衬底的上表面，在所述第1区域中形成所述第1光电二极管，且在所述第2区域中形成所述第2光电二极管的工序，其中，所述第1光电二极管和所述第2光电二极管之间夹着所述第1区域和所述第2区域之间的边界线而彼此隔离。