[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体器件具有固态图像传感器，所述固态图像传感器包括具有第1光电二极管及第2光电二极管的多个像素，

其中，所述半导体器件的制造方法包括如下工序：

工序(a)，即准备衬底的工序，所述衬底的上表面上具有相互邻接的第1区域及第2区域；

工序(b)，即在所述衬底上形成光致抗蚀剂膜的工序；

工序(c)，即对所述第1区域的所述光致抗蚀剂膜进行曝光的工序；

工序(d)，即对所述第2区域的所述光致抗蚀剂膜进行曝光的工序；

工序(e)，即在所述工序(c)及所述工序(d)之后，通过对所述光致抗蚀剂膜进行显影，以对所述光致抗蚀剂膜进行构图的工序；

工序(f)，即使用在所述工序(e)中进行构图后的所述光致抗蚀剂膜，在所述衬底上形成元件隔离结构的工序，所述元件隔离结构在所述衬底上划分出所述像素内的有源区；以及

工序(g)，即在所述工序(f)之后，通过将杂质导入所述有源区内的所述衬底的上表面，在所述第1区域中形成所述第1光电二极管，且在所述第2区域中形成所述第2光电二极管的工序，

其中，所述第1光电二极管和所述第2光电二极管之间夹着所述第1区域和所述第2区域之间的边界线而彼此隔离。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

从平面上看，所述有源区中形成于所述第1区域中的部分和形成于所述第2区域中的部分按一个方向彼此偏离而形成。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第1区域和所述第2区域之间的边界上，从平面上看，所述有源区外缘的布局中存在层差。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述边界按沿着所述衬底的主面的第1方向延伸，

在与所述第1方向垂直相交的方向即沿着所述衬底的主面的第2方向上排列配置有多个所述像素，

从平面上看与所述边界重合的所述像素内的所述第1光电二极管与所述第2光电二极管之间的间隔，比从平面上看不与所述边界重合的所述像素内的所述第1光电二极管与所述第2光电二极管之间的间隔大。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

从平面上看与所述边界重合的所述像素内的所述第1光电二极管在所述第2方向上的宽度，比从平面上看不与所述边界重合的所述像素内的所述第1光电二极管在所述第2方向上的宽度小。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

从平面上看与所述边界重合的所述像素内的所述第2光电二极管在所述第2方向上的宽度，比从平面上看不与所述边界重合的所述像素内的所述第2光电二极管在所述第2方向上的宽度小。

7.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体器件具有固态图像传感器，所述固态图像传感器包括具有第1光电二极管及第2光电二极管的多个像素，

其中，所述半导体器件的制造方法包括如下工序：

工序(a)，即准备衬底的工序，所述衬底的上表面上具有相互邻接的第1区域及第2区域；

工序(b)，即在所述衬底上形成光致抗蚀剂膜的工序；

工序(c)，即对所述第1区域的所述光致抗蚀剂膜进行曝光的工序；

工序(d)，即对所述第2区域的所述光致抗蚀剂膜进行曝光的工序；

工序(e)，即在所述工序(c)及所述工序(d)之后，通过对所述光致抗蚀剂膜进行显影，以对所述光致抗蚀剂膜进行构图的工序；

工序(f)，即使用在所述工序(e)中进行构图后的所述光致抗蚀剂膜，在所述衬底上形成元件隔离结构的工序，所述元件隔离结构在所述衬底上划分出所述像素内的有源区；以及

工序(g)，即在所述工序(f)之后，通过将杂质导入所述有源区内的所述衬底的上表面，形成沿着所述衬底的主面排列的所述第1光电二极管及所述第2光电二极管的工序，

其中，从平面上看，所述第1区域和所述第2区域之间的边界线与所述第1光电二极管重合，且按所述第1光电二极管的长边方向延伸。