[发明专利]结型场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种结型场效应晶体管及其制作方法，包括：半导体衬底、介电层、沟道层、栅极及源漏区，其中所述介电层、沟道层及栅极由下至上依次堆叠于所述半导体衬底上；所述源漏区位于所述介电层、沟道层及栅极两侧的所述半导体衬底上。所述结型场效应晶体管中不包括底栅，只包括一个栅极，解决了制作常规结型场效应晶体管时离子注入的难题；使用二氧化硅介电层替代底栅，不仅提高所述结型场效应晶体管的调节性能，而且使得栅电流比较大，使得器件具有更高的性能；所述结型场效应晶体管的制作方法更加简单、容易精确控制，可以进一步提高器件的良率。

主权项

1.一种结型场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成牺牲层；在所述牺牲层上形成第一半导体材料层，并对所述第一半导体材料层进行离子注入；在所述第一半导体材料层上形成第二半导体材料层，并对所述第二半导体材料层进行离子注入；在所述第二半导体材料层上形成硬掩膜层；图形化所述牺牲层、第一半导体材料层、第二半导体材料层及硬掩膜层；去除所述牺牲层；将得到的上述结构进行热氧化处理，以在所述半导体衬底表面及图形化的所述第一半导体材料层、第二半导体材料层两侧表面形成氧化物层；去除部分所述氧化物层，仅保留位于所述第一半导体材料层与所述半导体衬底之间的所述氧化物层；在所述半导体衬底上形成第三半导体材料层，并对所述第三半导体材料层进行离子注入以形成源漏区；去除所述硬掩膜层。