[发明专利]半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510290564.8 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298919B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 谢欣云;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件、鳍式场效应晶体管及其形成方法。所述鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底、位于所述半导体衬底上的绝缘层、位于所述绝缘层上的鳍部，和位于所述半导体衬底上的栅极结构，所述栅极结构横跨至少一个所述鳍部，并覆盖所述鳍部的侧壁与顶部。所述鳍式场效应晶体管中，在栅极和鳍部的下方形成绝缘层，从而在使用过程中，抑制器件短沟道效应，减少源极和漏极的漏电流，提高鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底形成凸起于所述半导体衬底表面的鳍部；形成覆盖所述鳍部侧壁的掩模层；以所述掩模层为掩模刻蚀半导体衬底形成绝缘层凹槽，所述绝缘层凹槽延伸至所述鳍部的下方；向所述绝缘层凹槽内填充介电材料，以形成介电层，所述介电层露出所述鳍部，所述介电层为富氧的氧化硅层；向富氧的氧化硅层内掺杂氧原子，增加富氧的氧化硅层内的氧原子含量，形成掺杂氧原子后的介电层；进行退火工艺，使掺杂氧原子后的介电层内的氧原子与所述绝缘层凹槽的侧壁反应，从而在所述鳍部下方形成氧化硅层，所述氧化硅层和掺杂氧原子后的介电层作为绝缘层。
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