[发明专利]基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510271326.2 | 申请日： | 2015-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN106298867B | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 王志勇;曾中明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/02;H01L21/265;H01L29/66;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料及其制备方法。在本发明的一实施方案之中，利用使用基于密度泛函理论的第一性原理方法，首先优化边缘氢化的理想锯齿形锗烯纳米带，然后研究异质掺杂对锯齿形锗烯纳米带自旋特性的影响，通过引入硼氮共掺杂并改变掺杂位置来调控锗烯纳米带的自旋特性，并与理想锯齿形锗烯纳米带作比较，从而得到具有半金属特性的锗烯纳米带。本发明无需通过加外电场或交换场等外场的作用来调节锯齿形锗烯纳米带的自旋特性，只需通过调节掺杂原子之间的距离就能够实现具有半金属特性的锗烯纳米带，从而可方便的实现基于锗烯纳米带的自旋电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 锯齿形 纳米 金属材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于锯齿形锗烯纳米带的半金属材料，其特征在于包括具有锯齿形边缘且边缘氢化的锗烯纳米带，所述锗烯纳米带中于中间的选定格点处取代掺杂有氮原子，与该选定格点次邻位置掺杂有硼原子，且氮原子与硼原子之间具有设定距离，使所述锗烯纳米带呈半金属特性。
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