[发明专利]气相沉积膜设备用腔室回填气体分散装置在审
申请号: | 201510262564.7 | 申请日: | 2015-05-21 |
公开(公告)号: | CN104878365A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 王燚;刘亿军 | 申请(专利权)人: | 沈阳拓荆科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人: | 李绪岩 |
地址: | 110179 辽宁省*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 气相沉积膜设备用腔室回填气体分散装置,为铲形结构,其前端处于气相沉积膜设备的反应腔室内,本装置下表面有小孔与反应腔室内与过渡腔室之间的衬底传递通道下表面的惰性气体通入孔联通,在铲形的圆弧一侧均布气孔与小孔联通。本发明可以使进入腔室的惰性气体按照装置上表面的若干气孔流出,起到均匀气流的作用。通过此装置上表面若干气孔流出的气体,根据气孔排布的方式,可以形成不同形状,相对衬底不同位置的气帘。阻挡沉积时反应腔室通入的反应源向衬底传递通道逸散。此装置可以填充部分衬底传递通道的体积,减少腔室真空体积。 | ||
搜索关键词: | 沉积 备用 回填 气体 分散 装置 | ||
【主权项】:
气相沉积膜设备用腔室回填气体分散装置,气特征在于:为铲形结构,其前端处于气相沉积膜设备的反应腔室内,本装置下表面有小孔与反应腔室内与过渡腔室之间的衬底传递通道下表面的惰性气体通入孔联通,在铲形的圆弧一侧均布气孔与小孔联通。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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