[发明专利]多晶硅电容及制造方法在审
| 申请号： | 201510257420.2 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106298979A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L29/04;H01L21/328 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 张洋,黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶硅电容及制造方法，其中方法包括：在不掺杂的多晶硅层的底层注入导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的下极板，在不掺杂的多晶硅层的中层注入绝缘杂质，形成多晶硅电容的绝缘介质层，在不掺杂的多晶硅层的上层注入所述导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的上极板，形成多晶硅电容，只需要生成一层多晶硅层，从而缩短了制造时间，降低了制造成本，减少了多晶硅电容的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅电容的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上生长一层不掺杂的多晶硅层；在所述多晶硅层的底层注入导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的下极板；在所述多晶硅层的中层注入绝缘杂质，形成多晶硅电容的绝缘介质层；在所述多晶硅层的上层注入所述导电杂质，形成多晶硅电容的低阻值的上极板。
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