[发明专利]一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p型导电性能的方法

摘要

本发明提供了一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p型导电性能的方法，采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜；然后在500‑700℃温度下的空气中保温5‑50分钟，即制得p型导电性能提高的硼掺杂纳米金刚石薄膜。本发明将硼掺杂纳米金刚石薄膜在空气中加热一定时间，使得其导电性能增强，解决了硼掺杂纳米金刚石薄膜的电导率和Hall迁移率较低，导电性能较掺入相同浓度硼的微晶金刚石薄膜差，难以用作电学器件的问题；制备得到的p型硼掺杂纳米金刚石薄膜，载流子浓度和迁移率增加，导电性能增强，对于实现其在电化学电极和半导体领域等方面的应用具有十分重要的科学意义和工程价值。

主权项

一种提高硼掺杂纳米金刚石薄膜p型导电性能的方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用热丝化学气相沉积方法，在单晶硅衬底上制备硼掺杂纳米金刚石薄膜；(2)将步骤(1)得到的硼掺杂纳米金刚石薄膜在500‑700℃温度下的空气中保温5‑50分钟，即制得p型导电性能提高的硼掺杂纳米金刚石薄膜。