[发明专利]垂直存储器装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种垂直存储器装置及其制造方法，该垂直存储器装置是一种具有被多个柱洞隔离的多个导电及电荷捕捉柱的垂直半导体存储器装置。多个柱形成于具有多个导电/电荷捕捉柱及区分数层导电材料成为多个散乱条的多个柱洞的多个交替的导电及绝缘材料层上。多个导电柱及隔离的多个导电材料层形成装置的多条字线及多条位线。

主权项

一种三维半导体存储器装置，包括：多个导电材料与绝缘材料的交替层(alternating layer)，是覆盖一基板；多个第一洞，位于沿多个第一行(row)设置的这些交替层，其中：这些第一洞与一数据储存膜排列；及排列的这些第一洞以导电材料填满而形成多个导电柱；多个隔离洞，设置在沿这些第一行的这些第一洞的间且邻接这些第一洞的的这些交替层；以及多个柱导体(column connector)，沿多个第二行连接这些导电柱，其中这些第二行与这些第一行以一角度交叉。