[发明专利]超结恒流二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201510242829.7 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN106298965B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张洋;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结恒流二极管的制备方法，包括：在半导体硅基底的表面上形成氧化层和氧化层窗口；通过氧化层窗口对硅基底进行干法刻蚀，在硅基底的表面上形成第一沟槽；在氧化层窗口的侧壁和第一沟槽的侧壁上形成氮化硅侧墙；通过第一沟槽对硅基底进行干法刻蚀，形成第二沟槽；在第二沟槽内填充P型外延层，形成超结结构；去除氧化层和氮化硅侧墙，在整个器件的表面上形成栅氧化层；在第一沟槽上的栅氧化层的表面沉积多晶硅；利用现有工艺，形成恒流二极管的介质层、正面金属层和背面金属层。从而超结结构成为一个电阻层，得到的超结恒流二极管的耐压性强并且具有较高的恒定电流，可以很好地保护LED不受到多电流、多电压的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 超结恒流 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结恒流二极管的制备方法，其特征在于，包括：在半导体硅基底的表面上形成氧化层；对所述氧化层进行光刻和刻蚀，形成氧化层窗口；通过所述氧化层窗口对所述硅基底进行干法刻蚀，在所述硅基底的表面上形成第一沟槽；在所述氧化层窗口的侧壁和所述第一沟槽的侧壁上形成氮化硅侧墙；以所述氧化层和所述氮化硅侧墙为掩膜，通过所述第一沟槽对所述硅基底进行干法刻蚀，形成第二沟槽；在所述第二沟槽内填充P型外延层，形成超结结构；去除所述氧化层和所述氮化硅侧墙，在整个器件的表面上形成栅氧化层；在所述第一沟槽上的栅氧化层的表面沉积多晶硅；利用现有工艺，形成所述恒流二极管的介质层、正面金属层和背面金属层。
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