[发明专利]包括静电放电电路的半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510239430.3 | 申请日： | 2015-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097786B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 高在赫;高民昌;金汉求 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L21/66;H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 张帆;陈源 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件以及一种操作半导体器件中的静电放电电路的方法。所述半导体器件包括：第一驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平上拉至第一电源电压；第二驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平下拉至第二电源电压；开关保护电阻器，其被构造为响应于开关控制信号改变焊盘与第二驱动器之间的电阻；以及静电放电检测器，其被构造为检测第一电源电压或第二电源电压的电压电平，并且产生开关控制信号。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 静电 放电 电路 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一驱动器，其被构造为响应于驱动信号将焊盘的电压电平上拉至第一电源电压；第二驱动器，其被构造为响应于所述驱动信号将所述焊盘的电压电平下拉至第二电源电压；开关保护电阻器，其被构造为响应于开关控制信号改变所述焊盘与所述第二驱动器之间的电阻；以及静电放电检测器，其被构造为检测所述第一电源电压或所述第二电源电压的电压电平，并且产生所述开关控制信号。
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