[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201510236857.8 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN105321824B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 西村武义;山口骏;坂田敏明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王颖;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种能够高精度地制造元件特性优良的超结半导体装置的制造方法。首先，重复形成n型外延层40的沉积以及成为第一并列pn层的n型杂质区域41和p型杂质区域42。沿深度方向对置的n型杂质区域41彼此和p型杂质区域42彼此分离。再沉积n型外延层40，形成p型RESURF区域、成为第二并列pn层的p型区域的p型杂质区域43b以及成为LOCOS膜16的端部正下方的p型区域的p型杂质区域43a。然后通过低温热处理形成LOCOS膜16，之后在热扩散p型基区时，使n型杂质区域41和p型杂质区域42、43b扩散，而使在深度方向的n型杂质区域41彼此以及p型杂质区域42、43b彼此相连而形成第一、第二并列pn层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
