[发明专利]结晶性层叠结构体以及半导体装置有效
| 申请号： | 201510233704.8 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN105097896B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 人罗俊实;织田真也;高塚章夫 | 申请（专利权）人： | FLOSFIA株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L21/02;H01L29/872;H01L29/778;H01L29/78;H01L29/739;H01L33/02 |
| 代理公司： | 深圳瑞天谨诚知识产权代理有限公司 44340 | 代理人： | 温青玲 |
| 地址： | 日本京都府京都市西京区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体特性好，特别地，导电性的易控制性好，能够在纵方向导通，具有良好的电学特性的结晶性层叠结构体。所述层叠结构体在所含主要成分为单轴取向的金属之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且所述半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，所述结晶性氧化物半导体是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属的氧化物半导体，并且是单轴取向的。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 层叠 结构 以及 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种结晶性层叠结构体，其中，在含有单轴取向的金属作为主要成分之金属层上，直接或介由其他层具备半导体层，并且该半导体层所含主要成分为结晶性氧化物半导体，其特征在于，就所述结晶性氧化物半导体而言，是含有从镓、铟以及铝中选择的一种或两种以上的金属之氧化物半导体，并且是单轴取向，所述结晶性氧化物半导体是具有刚玉结构或β‑gallia结构的氧化物半导体。
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