[发明专利]一种功率模块的封装结构在审
| 申请号： | 201510219849.2 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN104900546A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 雷鸣 | 申请（专利权）人： | 嘉兴斯达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 314006 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种功率模块的封装结构，它包括一焊连有IGBT芯片的覆铜陶瓷基板，所述的IGBT芯片正面为门极和发射极，背面为集电极，在门极和发射极的四周有一圈绝缘结构的保护环；在所述在门极和发射极的表面通过焊料分别焊连有门极金属块和发射极金属块，且所述门极金属块和发射极金属块的厚度在0.1-1mm；所述的IGBT芯片通过焊料焊接到覆铜陶瓷基板的集电极铜层上；所述IGBT芯片的门极金属块和发射极金属块各由铜、银、金、镍中的一种可焊接金属制成；所述的发射极金属块通过铜线用超声波键合与覆铜陶瓷基板上的发射极铜层相连；所述的门极金属块通过铜线用超声波键合与覆铜陶瓷基板上的门极铜层相连。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 模块 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种功率模块的封装结构，它包括一焊连有IGBT芯片的覆铜陶瓷基板，其特征在于所述的IGBT芯片正面为门极（G）和发射极（E），背面为集电极（C），在门极和发射极的四周有一圈绝缘结构的保护环（7）；在所述在门极（G）和发射极（E）的表面通过焊料分别焊连有门极金属块（4）和发射极金属块（3），且所述门极金属块（4）和发射极金属块（3）的厚度在0.1‑1mm；所述的IGBT芯片（8）通过焊料（9）焊接到覆铜陶瓷基板（DBC）的集电极铜层（10）上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴斯达半导体股份有限公司，未经嘉兴斯达半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510219849.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
