[发明专利]一种功率模块的封装结构

权利要求书

1.一种功率模块的封装结构，它包括一焊连有IGBT芯片的覆铜陶瓷基板，其特征在于所述的IGBT芯片正面为门极（G）和发射极（E），背面为集电极（C），在门极和发射极的四周有一圈绝缘结构的保护环（7）；在所述在门极（G）和发射极（E）的表面通过焊料分别焊连有门极金属块（4）和发射极金属块（3），且所述门极金属块（4）和发射极金属块（3）的厚度在0.1-1mm；所述的IGBT芯片（8）通过焊料（9）焊接到覆铜陶瓷基板（DBC）的集电极铜层（10）上。

2.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于所述IGBT芯片的门极金属块（4）和发射极金属块（3）各由铜、银、金、镍中的一种可焊接金属制成；所述的发射极金属块（3）通过铜线（1）用超声波键合与DBC发射极铜层（11）相连；所述的门极金属块（3）通过铜线（2）用超声波键合与DBC门极铜层（12）相连；DBC的背面铜层（14）通过焊料（15）焊接到散热基板（18）上；DBC背面铜层（14）与DBC集电极铜层（10）、发射极铜层（11）、门极铜层（12）之间有一层陶瓷层（13）。

3.根据权利要求1所述的功率模块的封装结构，其特征在于所述IGBT芯片的发射极端子（19）、集电极端子（20）、门极端子（21）注塑在塑料外壳（16）中；所述塑料外壳（16）与散热基板（18）通过密封胶（17）胶合；发射极端子（19）与DBC发射极铜层（8）通过超声波焊接的方式连接，集电极端子（20）与DBC集电极铜层（8）通过超声波焊接的方式连接，门极端子（21）与DBC门极铜层（12）通过超声波焊接的方式连接。