[发明专利]气相沉积反应器系统及其方法在审
申请号: | 201510196727.6 | 申请日: | 2010-03-16 |
公开(公告)号: | CN104962879A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 何甘;雷格·东克;凯思德·索拉布吉;罗杰·哈曼吉;安德瑞斯·海吉杜斯 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/54;C23C16/44;C23C16/458 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 高瑜;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及气相沉积反应器系统及其方法。本发明的实施方案大体上涉及用于化学气相沉积(CVD)工艺的装置和方法。在一个实施方案中,CVD反应器具有反应器盖子组件,反应器盖子组件被布置在反应器体上并且包括被连贯地且线性地布置在盖子支撑件上邻近彼此的第一淋喷头组件、隔离器组件、第二淋喷头组件和排气组件。CVD反应器还包括被布置在反应器体的相对端上的第一面板和第二面板,其中第一淋喷头组件被布置在第一面板和隔离器组件之间并且排气组件被布置在第二淋喷头组件和第二面板之间。反应器体具有被布置在晶片承载器轨道上的晶片承载器,以及布置在晶片承载器轨道下方并且包括多个灯的灯组件,灯组件可以被用于加热被布置在晶片承载器上的晶片。 | ||
搜索关键词: | 沉积 反应器 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种化学气相沉积反应器,包括:反应器盖子组件,其被布置在反应器体上,其中所述反应器盖子组件包括:第一室,其包括在盖子支撑件上邻近彼此布置的第一淋喷头组件和隔离器组件;第二室,其包括在所述盖子支撑件上邻近彼此布置的第二淋喷头组件和排气组件,其中所述隔离器组件被布置在所述第一淋喷头组件和所述第二淋喷头组件之间,并且所述第二淋喷头组件被布置在所述隔离器组件和所述排气组件之间;以及温度调节系统,其包括延伸贯穿所述盖子支撑件的至少一个盖子支撑件流体通路并且包括延伸贯穿所述反应器体的至少一个反应器体流体通路,其中所述盖子支撑件流体通路被耦合于盖子支撑件通路入口和盖子支撑件通路出口并且与盖子支撑件通路入口和盖子支撑件通路出口流体连通,其中每个盖子支撑件通路入口和盖子支撑件通路出口独立地耦合于第一热交换器并与第一热交换器流体连通,其中所述反应器体流体通路被耦合于反应器体通路入口和反应器体通路出口并与反应器体通路入口和反应器体通路出口连通,其中每个反应器体通路入口和反应器体通路出口独立地耦合于第二热交换器并与第二热交换器流体连通,并且其中盖子支撑件的温度独立于反应器体的温度而保持。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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