[发明专利]一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法在审
| 申请号： | 201510196721.9 | 申请日： | 2015-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN104752168A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 钟斌 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法，包括第一步骤在硅片上形成由隔离结构隔开的鳍形栅极结构；第二步骤在鳍形栅极结构的暴露部分上形成掺磷碳化硅薄膜，其中在掺磷碳化硅薄膜上在<111>晶向上形成了缺陷层；第三步骤采用四甲基氢氧化铵溶液作为刻蚀液处理硅片，以便完全去除掺磷碳化硅薄膜表面在<111>晶向上生成的缺陷层；第四步骤在利用刻蚀液处理硅片之后，清洗去除第三步骤中在硅片上产生的颗粒物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 去除 场效应 晶体管 中掺磷 碳化硅 薄膜 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种去除鳍式场效应晶体管中掺磷碳化硅薄膜缺陷的方法，其特征在于包括：第一步骤：在硅片上形成由隔离结构隔开的鳍形栅极结构；第二步骤：在鳍形栅极结构的暴露部分上形成掺磷碳化硅薄膜，其中在掺磷碳化硅薄膜上在<111>晶向上形成了缺陷层；第三步骤：采用四甲基氢氧化铵溶液作为刻蚀液处理硅片，以便完全去除掺磷碳化硅薄膜表面在<111>晶向上生成的缺陷层；第四步骤：在利用刻蚀液处理硅片之后，清洗去除第三步骤中在硅片上产生的颗粒物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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