[发明专利]光掩模的制造方法以及光掩模基板有效
| 申请号: | 201510184218.1 | 申请日: | 2015-04-17 |
| 公开(公告)号: | CN105093819B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
| 发明(设计)人: | 梅田佳宏 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
| 主分类号: | G03F1/80 | 分类号: | G03F1/80;G03F1/68 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李洋;苏琳琳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种能够形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模的制造方法。具有:准备带抗蚀剂光掩模基板的工序,在该工序中,在透明基板上层叠光学膜、反射性薄膜以及抗蚀剂膜;抗蚀剂图案形成工序;形成反射性薄膜图案的薄膜蚀刻工序;去除上述抗蚀剂图案的去除工序;测定上述反射性薄膜图案的尺寸的尺寸测定工序;光学膜蚀刻工序,在该工序中,基于所测定的上述尺寸决定上述光学膜的蚀刻时间,基于上述光学膜的蚀刻时间,将上述反射性薄膜图案作为掩模,进行上述光学膜的湿式蚀刻;以及去除工序,在该工序中,去除上述反射性薄膜,在上述尺寸测定工序中,向上述反射性薄膜图案的测定部照射检查光,通过检测上述检查光的反射光来进行上述尺寸测定。 | ||
| 搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 光掩模基板 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模的制造方法,其特征在于,具有:准备带抗蚀剂光掩模基板的工序,在该工序中,在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的反射性薄膜,并在最表面形成抗蚀剂膜;抗蚀剂图案形成工序,在该工序中,使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案,通过显影形成抗蚀剂图案;薄膜蚀刻工序,在该工序中,将所述抗蚀剂图案作为掩模,蚀刻所述反射性薄膜,形成反射性薄膜图案;去除所述抗蚀剂图案的工序;尺寸测定工序,在该工序中,测定所述反射性薄膜图案的尺寸;光学膜蚀刻工序,在该工序中,基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的蚀刻时间,将所述反射性薄膜图案作为掩模,进行所述光学膜的湿式蚀刻;以及去除所述反射性薄膜的工序,在所述尺寸测定工序中,向所述反射性薄膜图案的测定部照射检查光,通过检测所述检查光的反射光来进行所述尺寸测定。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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