[发明专利]光掩模的制造方法以及光掩模基板

说明书

本发明提供一种能够形成尺寸精度高的转印用图案的光掩模的制造方法。具有：准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠光学膜、反射性薄膜以及抗蚀剂膜；抗蚀剂图案形成工序；形成反射性薄膜图案的薄膜蚀刻工序；去除上述抗蚀剂图案的去除工序；测定上述反射性薄膜图案的尺寸的尺寸测定工序；光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于所测定的上述尺寸决定上述光学膜的蚀刻时间，基于上述光学膜的蚀刻时间，将上述反射性薄膜图案作为掩模，进行上述光学膜的湿式蚀刻；以及去除工序，在该工序中，去除上述反射性薄膜，在上述尺寸测定工序中，向上述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测上述检查光的反射光来进行上述尺寸测定。

技术领域

本发明涉及一种通过对形成于透明基板上的光学膜进行图案形成而形成转印用图案的光掩模的制造方法、以及该制造方法所使用的光掩模基板。本发明特别是涉及一种有利于用于显示装置制造用光掩模的制造方法及其所使用的光掩模基板。另外，本发明涉及一种使用通过该光掩模的制造方法制造出的光掩模的显示装置的制造方法。

背景技术

随着显示装置等电子设备产品的高精细化等，对于具备用于上述产品的制造的光掩模的转印用图案，不断提高更加精确地控制尺寸的要求。

与此相关，在专利文献1中记载了对于遮光膜的图案进行更加准确的尺寸控制的方法。即，在专利文献1中记载了一种方法，在该方法中，将抗蚀剂图案作为掩模进行遮光膜的蚀刻，去除未被抗蚀剂图案所覆盖的遮光膜，停止蚀刻后，从基板的背面照射光，使未被遮光膜遮光的抗蚀剂感光、显影，由此掌握遮光膜的边缘位置，决定追加蚀刻时间。

专利文献1：日本特开2010-169750号公报

目前，显示装置(例如，智能手机，平板电脑等移动终端)所要求的画质(清晰、明亮)、动作速度、省电性能前所未有地不断提高。为了满足这种需求，强烈希望用于显示装置的制造的光掩模的转印用图案的微细化、高密度化。

在显示装置的制造中，利用光刻工序制造具备所希望的转印用图案的光掩模。即，在成膜于透明基板上的光学膜上形成抗蚀剂膜，对于该抗蚀剂膜利用能量线(激光等)进行描绘，将通过显影所得到的抗蚀剂图案作为掩模，对光学膜施加蚀刻。根据需要，进一步成膜其他光学膜，反复上述光刻工序，形成最终的转印用图案。此处的光学膜例如包括对向光掩模的曝光用光进行遮光的遮光膜、透射一部分曝光用光的半透光膜、或者相移膜、蚀刻阻挡膜等功能膜等。

显示装置制造用光掩模与半导体制造用光掩模(通常为5～6英寸)相比尺寸较大(例如一边为300mm以上)，并且存在多种尺寸。因此在制造显示装置制造用光掩模时的光学膜的蚀刻中，与需要真空室的干式蚀刻相比，应用湿式蚀刻的情况具有蚀刻装置、蚀刻工序的负担小且控制简单的优点。

但是，经由上述工序精密地控制最终所得到的转印用图案的尺寸精度并不容易。例如，对于相对于目标尺寸的允许范围而言，若相对于目标值具有±100nm左右的允许范围，则通过描绘、显影、蚀刻等各工序的严格管理，能够将其实现而不会有很大的困难，但即使这样，对于相对于目标值形成为±50nm左右的允许范围内，进一步，相对于目标值形成为±20nm左右的允许范围内的情况，会产生新的技术课题。

例如，用图1(a)～图1(e)的流程说明制造具备具有透光部与遮光部的转印用图案的二元掩模的工序。

首先，如图1(a)所示，准备在透明基板上通过溅射法等成膜方法成膜光学膜，并在其表面涂敷光致抗蚀剂膜而成的带抗蚀剂光掩模坯料(带抗蚀剂光掩模基板)。应予说明，此处，光学膜为以铬为主要成分的遮光膜。

接下来，如图1(b)所示，使用激光描绘装置，在光致抗蚀剂膜描绘规定的图案。此处，作为描绘光，使用搭载于FPD(平板显示器：Flat Panel Display)用描绘装置的光源所产生的波长413nm的激光。

接下来，如图1(c)所示，给图案描绘后的抗蚀剂膜显影，形成抗蚀剂图案。