[发明专利]光掩模的制造方法以及光掩模基板

权利要求书

1.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：

准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的反射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜；

抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案；

薄膜蚀刻工序，在该工序中，将所述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述反射性薄膜，形成反射性薄膜图案；

去除所述抗蚀剂图案的工序；

尺寸测定工序，在该工序中，测定所述反射性薄膜图案的尺寸；

光学膜蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的蚀刻时间，将所述反射性薄膜图案作为掩模，进行所述光学膜的湿式蚀刻；以及

去除所述反射性薄膜的工序，

在所述尺寸测定工序中，向所述反射性薄膜图案的测定部照射检查光，通过检测所述检查光的反射光来进行所述尺寸测定。

2.根据权利要求1所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小。

3.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述检查光的表面反射率Rt比所述光学膜的表面反射率Ro高，其中，Rt、Ro的单位为%，其差（Rt-Ro）为5以上。

4.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述检查光的表面反射率Rt为20％以上。

5.根据权利要求1或2所述的光掩模的制造方法，其特征在于，作为所述检查光，使用波长为300~1000nm范围内的光。

6.一种显示装置的制造方法，其特征在于，具有：

准备通过权利要求1或2所述的制造方法制造出的光掩模的工序；和

转印工序，在该工序中，使用曝光装置对所述光掩模曝光，将所述转印用图案转印至被转印体。

7.一种光掩模基板，其用于形成为具备显示装置制造用的转印用图案的光掩模，其特征在于，

在透明基板上层叠有用于形成转印用图案的光学膜与由相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的材料构成的反射性薄膜，

所述反射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小，

所述反射性薄膜相对于波长为500nm的光的表面反射率Rt为20％以上，并且比所述光学膜的表面反射率Ro高。

8.根据权利要求7所述的光掩模基板，其特征在于，所述反射性薄膜相对于所述波长为500nm的光的所述表面反射率Rt比所述光学膜的所述表面反射率Ro高，其差（Rt-Ro）为5以上，其中，Rt、Ro的单位为%。

9.一种光掩模的制造方法，其特征在于，具有：

准备带抗蚀剂光掩模基板的工序，在该工序中，在透明基板上层叠用于形成转印用图案的光学膜与相对于所述光学膜具有蚀刻选择性的透射性薄膜，并在最表面形成抗蚀剂膜；

抗蚀剂图案形成工序，在该工序中，使用描绘装置在所述抗蚀剂膜描绘规定图案，通过显影形成抗蚀剂图案；

薄膜蚀刻工序，在该工序中，将所述抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻所述透射性薄膜，形成透射性薄膜图案；

光学膜预备蚀刻工序，在该工序中，至少将所述透射性薄膜图案作为掩模，对所述光学膜进行湿式蚀刻，形成光学膜预备图案；

尺寸测定工序，在该工序中，测定所述光学膜预备图案的尺寸；

光学膜追加蚀刻工序，在该工序中，基于根据测定出的所述尺寸决定的所述光学膜的追加蚀刻时间，追加蚀刻所述光学膜；以及

去除所述透射性薄膜的工序，

在所述尺寸测定工序中，通过向所述光学膜预备图案的测定部照射透射了所述透射性薄膜的检查光来进行所述尺寸测定。

10.根据权利要求9所述的光掩模的 制造方法，其特征在于，所述透射性薄膜的膜厚比所述光学膜的膜厚小。