[发明专利]一种加米霉素晶型Ⅰ及其制备方法有效
| 申请号： | 201510178590.1 | 申请日： | 2015-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN104788514B | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 苏玉辉;王秀龙;刘雷;刘全才;孔梅;吴连勇 | 申请（专利权）人： | 齐鲁晟华制药有限公司 |
| 主分类号： | C07H17/00 | 分类号： | C07H17/00;C07H1/06 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 朱家富 |
| 地址： | 251500 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种加米霉素晶型Ⅰ及其制备方法。所述加米霉素晶型Ⅰ使用Cu‑Ka辐射，以2θ角度表示的X射线粉末衍射，在6.8165°±0.3°、9.5249°±0.3°、10.1349°±0.3°、11.4490°±0.3°、12.9373°±0.3°、14.9831°±0.3°、19.2302°±0.3°、20.5137°±0.3°处有特征吸收峰。本发明提供的结晶型Ⅰ加米霉素易于制备，相关检测数据显示加米霉素晶型Ⅰ纯度高，杂质含量低，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 霉素 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备加米霉素晶型Ⅰ的方法，其特征在于，包括如下步骤：将加米霉素溶解在酯类溶剂中，再加入正庚烷，酯类溶剂与正庚烷的体积比为1：（0.5～10），搅拌至析出晶体，经固液分离、洗涤、干燥，制得加米霉素晶型Ⅰ；所述加米霉素晶型Ⅰ，使用Cu‑Ka辐射，以2θ角度表示的X射线粉末衍射，所述加米霉素晶型Ⅰ在6.8165°±0.3°、9.5249°±0.3°、10.1349°±0.3°、11.4490°±0.3°、12.9373°±0.3°、14.9831°±0.3°、19.2302°±0.3°、20.5137°±0.3°处有特征吸收峰;所述酯类溶剂为乙酸异丙酯或乙酸乙酯。
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