[发明专利]采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法有效
| 申请号： | 201510167500.9 | 申请日： | 2015-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN104805500B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 高文秀;李帅;赵百通 | 申请（专利权）人： | 江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B28/06;C30B11/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 上海科律专利代理事务所(特殊普通合伙)31290 | 代理人： | 金碎平,袁亚军 |
| 地址： | 214213 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法，包括炉体，所述炉体内设有石英坩埚，所述石英坩埚的外侧周围设有加热器，上方设有薄石英管，所述薄石英管的一端开口向下，另一端固定在夹持器上，所述夹持器和驱动电机相连并可带动薄石英管一起旋转升降，所述薄石英管内设有气冷腔，所述气冷腔中通有冷却气体，所述气冷腔的底部设有微细气孔且位于薄石英管开口端的上方，所述薄石英管的一侧设有激光切割器，另一侧设有硅片承接板。本发明采用薄石英管作为硅片成型限边，由气冷腔底端的微细气孔喷出的氧化气流接触硅液面，形成具有氧化层的硅片并直接采用激光切割，从而避免浪费硅料，并可有效缓解硅片应力，避免硅片晶向错位。 | ||
| 搜索关键词： | 采用 氧化 辅助 硅片 制作 设备 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种采用氧化层辅助的硅片制作设备，包括炉体(15)，所述炉体(15)内设有用于盛放熔融硅液(9)的石英坩埚(16)，所述石英坩埚(16)的外侧周围设有加热器(8)，其特征在于，所述石英坩埚(16)的上方设有薄石英管(5)，所述薄石英管(5)的一端开口向下，另一端固定在夹持器(4)上，所述夹持器(4)和驱动电机(1)相连并可带动薄石英管(5)一起旋转升降，所述薄石英管(5)内设有气冷腔(13)，所述气冷腔(13)中通有惰性气体和氧气的混合冷却气体，所述气冷腔(13)的底部设有微细气孔(19)，所述气冷腔(13)的底部位于薄石英管(5)开口端的上方，所述薄石英管(5)的一侧设有激光切割器(12)，另一侧设有硅片承接板(6)。
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