[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510158128.5 | 申请日： | 2015-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104714347B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 吕志军;张锋;王珂 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置，用于解决现有技术黑矩阵制作在彩膜基板上造成开口率提高受限、工序多、对盒精度要求高等问题。本发明提供阵列基板及其制备方法、显示装置由于在所述源/漏极上设有与所述源/漏极图案相同的黑矩阵，可以和源/漏极采用同一个掩模版制备，减少了单独制备需要独立的掩模版，减少了工序，降低了制备成本；避免制作在彩膜基板上需要高精度的对盒。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板，包括像素区域和包围所述像素区域的边框区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括有源层和位于所述有源层上方同层间隔设置的源/漏极，其特征在于，所述源/漏极上设有与所述源/漏极图案相同的黑矩阵；所述漏极上方设有第一电极；所述漏极和所述第一电极在垂直于所述阵列基板方向部分重合；所述黑矩阵位于所述第一电极与所述漏极之间。
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