[发明专利]栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法在审
| 申请号： | 201510144171.6 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN104701209A | 公开（公告）日： | 2015-06-10 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;顾晓芳 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种栅氧层缺陷检测方法及器件失效定位方法，在半导体衬底上形成栅氧层之后包括：以栅氧层为阻挡层对半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测半导体衬底受到刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；基于半导体衬底的损失来分析栅氧层的缺陷。通过检测出半导体衬底的损耗缺陷来分析栅氧层的缺陷，实现了对栅氧层缺陷和器件漏电的准确和实时监测，及时发现漏电问题，克服了现有的发现缺陷问题滞后以及难以检测的问题，并且节约了时间和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅氧层 缺陷 检测 方法 器件 失效 定位 | ||
【主权项】：
一种栅氧层缺陷的检测方法，在半导体衬底上进行，包括在半导体衬底上形成栅氧层，其特征在于，形成所述栅氧层之后包括：以所述栅氧层为阻挡层对所述半导体衬底进行湿法刻蚀工艺；其中，所述湿法刻蚀工艺所采用的刻蚀药液对半导体衬底的刻蚀速率大于对栅氧层的刻蚀速率；检测所述半导体衬底受到所述刻蚀药液的腐蚀所产生的损失；基于所述半导体衬底的损失来分析所述栅氧层的缺陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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