[发明专利]高电子迁移率晶体管温度传感器有效
| 申请号： | 201510113995.7 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN104934389B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 迪利普·马达夫·瑞恩布德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/40 | 分类号： | H01L23/40;G01K7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 王波波 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明为高电子迁移率晶体管温度传感器。一种集成结构(1)，包括高电子迁移率晶体管(HEMT)(3)和与HEMT相集成的温度感应结构(8)，温度感应元件(7)配置为提供指示温度的信号，以为HEMT提供温度保护。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 温度传感器 | ||
【主权项】：
一种集成结构，其特征在于，包括：具有有源区的高电子迁移率晶体管(HEMT)；温度感应结构，包括至少一个具有与高电子迁移率晶体管(HEMT)的有源区相集成的有源区的肖特基势垒二极管温度感应器，所述温度感应结构配置为提供至少一个指示温度的信号；以及温度保护电路，配置为响应于所述至少一个指示温度的信号而生成关断所述高电子迁移率晶体管(HEMT)的控制信号。
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