[发明专利]倒装多结太阳能电池及其制作方法在审
| 申请号： | 201510111095.9 | 申请日： | 2015-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN104659158A | 公开（公告）日： | 2015-05-27 |
| 发明（设计）人： | 毕京锋;陈文浚;林桂江;李森林;刘冠洲;宋明辉;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0687;H01L31/0693 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装多结太阳能电池及制作方法，其中制作方法具体包括步骤：作方法，包括步骤：（1）提供一生长衬底，用于半导体材料的外延生长；（2）将所述生长衬底置于MOCVD设备中，在所述衬底上方采用MOCVD方法倒装生长第一外延结构，其具有多结子电池叠层；（3）将上述生长完成结构转移至MBE设备中，采用MBE方法在其上倒装形成第二外延结构，其至少包含一结子电池，形成串联倒装多结太阳能电池；其中第一外延结构的带隙大于第二外延结构的带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 倒装 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
倒装多结太阳能电池的制作方法，包括步骤：（1）提供一生长衬底，用于半导体材料的外延生长；（2）将所述生长衬底置于MOCVD设备中，在所述衬底上方采用MOCVD方法倒装生长第一外延结构，其具有多结子电池叠层；（3）将上述生长完成结构转移至MBE设备中，采用MBE方法在其上倒装形成第二外延结构，其至少包含一结子电池，形成串联倒装多结太阳能电池；其中第一外延结构的带隙大于第二外延结构的带隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
