[发明专利]纳米线结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种纳米线结构及其制作方法，其制作方法包括下列步骤。在基底上形成鳍片与浅沟隔离。鳍片的上部暴露于浅沟隔离之外。在被暴露出的鳍片上形成第一图案化介电层，并对浅沟隔离进行凹入蚀刻制作工艺，以暴露出鳍片的下部。在第二区形成第二图案化介电层，以覆盖第一图案化介电层以及第二区中被暴露出的鳍片。移除被暴露出的鳍片的下部，以于第一区形成上鳍片与下鳍片。再对浅沟隔离进行另一凹入蚀刻制作工艺，以暴露出部分的下鳍片以及位于第二区的部分的鳍片。移除第一区的第一图案化介电层，并将上鳍片转变成第一纳米线。

主权项

一种纳米线结构的制作方法，包括：在一基底上形成一鳍片以及一浅沟隔离，其中该浅沟隔离围绕该鳍片，该鳍片的一上部暴露于该浅沟隔离之外，该鳍片包括一第一区以及两个第二区，且该第一区位于该两个第二区之间；在被暴露出的该鳍片上形成一第一图案化介电层；对该浅沟隔离进行一凹入蚀刻(recessing)制作工艺，用以暴露出该鳍片的一下部；在该鳍片的该两个第二区形成一第二图案化介电层，用以覆盖该第一图案化介电层以及被暴露出的该鳍片；移除被暴露出的该鳍片的该下部，用以于该第一区中形成一上鳍片以及一下鳍片，其中一间隔于一垂直投影方向上形成于该上鳍片与该下鳍片之间；再对该浅沟隔离进行另一凹入蚀刻制作工艺，用以暴露出部分的该下鳍片以及位于该两个第二区的部分的该鳍片；移除该第一区的该第一图案化介电层；以及将该上鳍片转变成一第一纳米线。