[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201510102923.2 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104900648B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 李宰求;朴泳雨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了三维半导体器件。一种三维(3D)半导体器件包括在垂直方向上彼此间隔开的导电层的叠层，该叠层在连接区域中具有阶梯状部分，导电层的端部分别构成阶梯状部分的梯面。3D半导体器件还包括设置在导电层的各端部上并在其上突出的缓冲图案、设置在该叠层之上并包括导线的互连结构、以及在导线与缓冲图案之间垂直地延伸并经由缓冲图案电连接到叠层的导电层的接触插塞。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体器件，包括：在垂直方向上彼此间隔开的导电层的叠层，所述叠层在连接区域中具有阶梯状部分，所述导电层的端部分别构成所述阶梯状部分的梯面；缓冲图案，设置在所述导电层的各端部上并在所述各端部上方突起得高于所述导电层的顶表面；互连结构，设置在所述叠层上方并包括导线；以及接触插塞，在所述导线和所述缓冲图案之间垂直地延伸并经由所述缓冲图案电连接到所述叠层的所述导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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