[发明专利]薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法有效
| 申请号： | 201510101338.0 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN104659107B | 公开（公告）日： | 2018-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈佳楷;王培筠;胡晋玮;许庭毓;黄雅琴 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法，该薄膜晶体管包括氧化物半导体层、栅绝缘图案、栅极、金属氧化物绝缘层、供氧层、源极以及漏极。氧化物半导体层具有源极区、漏极区以及通道区，且通道区位于源极区以及漏极区之间。栅绝缘图案位于氧化物半导体层的通道区上。栅极位于栅绝缘图案上。金属氧化物绝缘层覆盖氧化物半导体层。供氧层与金属氧化物绝缘层相接触。源极以及漏极位于供氧层的上方，且分别电连接氧化物半导体层的源极区以漏极区。此外，包括上述薄膜晶体管的显示面板及薄膜晶体管的制造方法也被提出。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括：氧化物半导体层，具有源极区、漏极区以及通道区，该通道区位于该源极区以及该漏极区之间；栅绝缘图案，位于该氧化物半导体层的该通道区上；栅极，位于该栅绝缘图案上；金属氧化物绝缘层，位于该氧化物半导体层上；第一供氧层，位于该氧化物半导体层的下方；隔离层，位于该氧化物半导体层以及该第一供氧层之间，其中部分的该金属氧化物绝缘层覆盖该第一供氧层；以及源极以及漏极，分别电连接该氧化物半导体层的该源极区以及该漏极区。
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