[发明专利]薄膜晶体管、显示面板以及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

氧化物半导体层，具有源极区、漏极区以及通道区，该通道区位于该源极区以及该漏极区之间；

栅绝缘图案，位于该氧化物半导体层的该通道区上；

栅极，位于该栅绝缘图案上；

金属氧化物绝缘层，位于该氧化物半导体层上；

第一供氧层，位于该氧化物半导体层的下方；

隔离层，位于该氧化物半导体层以及该第一供氧层之间，其中部分的该金属氧化物绝缘层覆盖该第一供氧层；以及

源极以及漏极，分别电连接该氧化物半导体层的该源极区以及该漏极区。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该金属氧化物绝缘层还覆盖该栅极、该栅绝缘图案以及该隔离层。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括金属层，覆盖该栅极以及该栅绝缘图案。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中该金属层包括铝、钛或铟，该金属氧化物绝缘层包括氧化铝、氧化钛或氧化铟。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括

第二供氧层，位于该金属氧化物绝缘层之上。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该金属氧化物绝缘层包括氧化铝、氧化钛或氧化铟。

7.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中该第一供氧层的材质包括氧化硅或金属氧化物半导体材料。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，包括：

形成一第一供氧层；

形成一隔离层于该第一供氧层上；

形成一氧化物半导体层于该隔离层上；

在该氧化物半导体层上依序形成一栅绝缘图案以及一栅极；

形成一金属层，以覆盖该氧化物半导体层、该栅绝缘图案与该栅极并使该金属层与该第一供氧层相接触；

使该氧化物半导体层与该金属层反应而形成一源极区以及一漏极区，其中该源极区以及该漏极区之间的该氧化物半导体层为一通道区，且同时使该金属层与该第一供氧层以及该氧化物半导体层反应以形成一金属氧化物绝缘层；以及

形成一源极以及一漏极，其中该源极以及该漏极分别电连接该氧化物半导体层的该源极区以及该漏极区。

9.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括在形成该金属层之后，进行一第二退火制作工艺，以使该金属层与该第一供氧层以及该氧化物半导体层反应以形成一金属氧化物绝缘层。

10.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，还包括形成一第二供氧层于该金属层之上。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管的制造方法，在形成一第二供氧层之后，还包括进行一第一退火制作工艺。

12.如权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在该第一退火制作工艺之后所形成的该金属氧化物绝缘层覆盖该栅极、该栅绝缘图案、该氧化物半导体层、该隔离层以及该第一供氧层。

13.如权利要求11所述的薄膜晶体管的制造方法，其中在进行该第一退火制作工艺之后，还包括移除该第二供氧层。

14.如权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该第一供氧层的材质包括氧化硅或金属氧化物半导体材料。

15.一种显示面板，包括：

基板，具有一显示区以及位于该显示区外围的一周边区；

多个薄膜晶体管，位于该显示区中，其中每一薄膜晶体管如权利要求1所述的薄膜晶体管；

第一电极，位于该源极与该漏极的上方，且该第一电极电连接该漏极；

发光层，位于该第一电极上；

第二电极，位于该发光层上；

第一电源线，位于该周边区，且该第一电源线电连接于该源极；以及

第二电源线，位于该周边区，且该第二电源线电连接于该第二电极，其中该金属氧化物绝缘层还覆盖于该第一电源线与该第二电源线上。

16.如权利要求15所述的显示面板，其中该第一供氧层的材质包括氧化硅或金属氧化物半导体材料。