[发明专利]半导体发光装置在审
| 申请号： | 201510101169.0 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN105428490A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 柴田恭平 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种可实现较高光输出的半导体发光装置。根据实施方式，半导体发光装置包括：衬底，具有导电性；第一半导体层；第二半导体层，设置在所述衬底与第一半导体层之间；发光层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；第一电极，设置在第一半导体层的与发光层为相反侧的表面；第一电极垫，设置在第一半导体层的表面且与第一电极连接；第二电极；第二电极垫；及第三电极。第二电极设置在衬底与第二半导体层之间，并且包含未由第二半导体层、发光层及第一半导体层覆盖的区域。第二电极垫设置在第二电极的区域，与第二电极连接，且面积比第一电极垫小。第三电极设置在衬底的与第二电极为相反侧的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体发光装置，其特征在于包括：衬底，具有导电性；第一半导体层；第二半导体层，设置在所述衬底与所述第一半导体层之间；发光层，设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；第一电极，设置在所述第一半导体层的与所述发光层为相反侧的表面；第一电极垫，设置在所述第一半导体层的所述表面且与所述第一电极连接；第二电极，设置在所述衬底与所述第二半导体层之间，并且包含未由所述第二半导体层、所述发光层及所述第一半导体层覆盖的区域；第二电极垫，设置在所述第二电极的所述区域，与所述第二电极连接，且面积比所述第一电极垫小；以及第三电极，设置在所述衬底的与所述第二电极为相反侧的表面，且与所述第二电极垫电连接。
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