[发明专利]具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法有效
| 申请号： | 201510099304.2 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN104900685B | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | C.黑希特;A.卡巴科夫;J.P.康拉特;R.鲁普 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/335;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法。一种半导体器件包括具有第一表面的半导体本体、在第一表面上的接触电极、和在第一表面上与接触电极相邻并且与接触电极部分重叠的钝化层。该钝化层包括具有第一层和第二层的层堆叠，该第一层包括在第一表面上的氧化物，该第二层包括在第一层上的氮化物。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 钝化 半导体器件 用于 制作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括第一表面的半导体本体；直接在第一表面上的接触电极；和钝化层，直接在第一表面上与接触电极相邻并且部分重叠并覆盖接触电极；其中所述钝化层包括具有在第一表面上的第一层、在第一层上的第二层和在所述第二层之上的第三层的层堆叠，所述第一层包括USG，PSG，BSG和BPSG中的至少一个，所述第二层包括氮化物，其中所述接触电极设置在所述半导体本体的内部区域中，其中所述钝化层布置在所述半导体主体的外部区域中并且完全包围所述内部区域，其中第二层和第三层均具有内边缘和外边缘，其中第三层的内边缘远离第二层的内边缘，以及其中第三层的外边缘远离第二层的外边缘。
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