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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于处理电子部件的方法和电子部件-CN201710265709.8有效
发明人： J.希尔森贝克;J.P.康拉特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及用于处理电子部件的方法和电子部件。根据各种实施例，一种用于处理包括至少一个导电接触区域的电子部件的方法可包括：在所述至少一个导电接触区域上方形成包括自偏析成分的接触垫以便以电气方式接触电子部件；在接触垫和电子部件之间形成偏析抑制结构，其中偏析抑制结构包括比所述至少一个导电接触区域多的成核诱导形貌特征以用于通过由成核诱导形貌特征定义的接触垫的结晶界面来扰乱自偏析成分的化学偏析。
用于处理电子部件方法

[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法-CN201910283859.0在审
发明人： J.P.康拉特;W.贝格纳;R.埃斯特夫;R.盖斯贝格尔;F.格拉泽;J.希尔森贝克;R.K.约施;S.克拉姆普;S.克里韦克;G.卢皮纳;楢桥浩;A.韦尔克尔;S.韦勒特 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-04-10 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括布置在半导体衬底上的接触金属化层、布置在半导体衬底上的无机钝化结构、以及有机钝化层。位于接触金属化层和无机钝化结构之间的有机钝化层垂直地位于比位于无机钝化结构顶部上的有机钝化层的一部分更靠近半导体衬底的位置。
半导体器件有机钝化层钝化结构衬底半导体接触金属化层垂直地

[发明专利]具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法-CN201510099304.2有效
发明人： C.黑希特;A.卡巴科夫;J.P.康拉特;R.鲁普 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-06 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L29/02 文献下载
摘要：本发明涉及具有钝化层的半导体器件及用于制作其的方法。一种半导体器件包括具有第一表面的半导体本体、在第一表面上的接触电极、和在第一表面上与接触电极相邻并且与接触电极部分重叠的钝化层。该钝化层包括具有第一层和第二层的层堆叠，该第一层包括在第一表面上的氧化物，该第二层包括在第一层上的氮化物。
具有钝化半导体器件用于制作方法

[发明专利]JFET及其制造方法-CN201510111462.5有效
发明人： J.P.康拉特;C.奥夫拉尔;H-J.舒尔策;R.希米尼克 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L29/808 文献下载
摘要：本发明涉及JFET及其制造方法。JFET具有半导体基体，该半导体基体具有第一表面和与第一表面基本上平行的第二表面。源极金属化和栅极金属化被布置在第一表面上。漏极金属化被布置在第二表面上。在与第一表面基本上正交的横截平面中，半导体基体包含：与源极金属化和漏极金属化欧姆接触的第一半导体区；与栅极金属化欧姆接触、彼此间隔开并且与第一半导体区形成相应的第一pn结的至少两个第二半导体区；以及与第一半导体区形成第二pn结的至少一个基体区。该至少一个基体区与源极金属化欧姆接触。该至少一个基体区的至少部分在到第一表面上的投影中被布置在两个第二半导体区之间。
jfet 及其制造方法

[发明专利]用于降低SIC半导体器件的双极退化的方法和半导体器件-CN201610534208.0在审
发明人： J.P.康拉特;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明涉及用于降低SIC半导体器件的双极退化的方法和半导体器件。公开了一种用于形成半导体器件的方法和一种半导体器件。方法包括在SiC半导体主体中通过引入非掺杂粒子到半导体主体中在第一半导体区中形成晶体缺陷；以及形成第二半导体区使得在第一半导体区与第二半导体区之间存在pn结。
用于降低 sic 半导体器件退化方法

[发明专利]制造包括金属氮化物层的半导体器件的方法和半导体器件-CN201510947758.0在审
发明人： J.P.康拉特;R.舍尔纳;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-17 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明涉及制造包括金属氮化物层的半导体器件的方法和半导体器件。制造半导体器件的方法包括将氮引入到金属层中或引入到金属氮化物层中，金属层或金属氮化物层被形成为与半导体材料接触。半导体器件包括半导体材料以及与半导体材料接触的金属氮化物层。金属氮化物具有大于金属氮化物中氮的溶解度限制的氮含量。
制造包括金属氮化物半导体器件方法

[发明专利]具有金属半导体结的半导体器件及其制造-CN201510954439.2在审
发明人： J.P.康拉特;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2015-12-16 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及具有金属半导体结的半导体器件及其制造。一种用于制造半导体器件的方法包括：提供具有第一半导体层（1）的晶片（410），在第一半导体层（1）处形成包括金属化学元素的接触层（10’）；以及将不同于所述金属化学元素的第一化学元素的离子注入到所述接触层（10’）中。
具有金属半导体半导体器件及其制造

[发明专利]具有减小的通向电压的肖特基二极管-CN201410688269.3在审
发明人： J.P.康拉特;R.鲁普;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及具有减小的通向电压的肖特基二极管。半导体器件，包括第一导电类型的半导体本体和在半导体本体处的金属层，其中金属层与半导体本体一起沿着接触面构成肖特基接触。第一导电类型的掺杂浓度在接触面处沿着接触面的方向变化。
具有减小通向电压肖特基二极管

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