[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510098087.5 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN105321996A | 公开（公告）日： | 2016-02-10 |
| 发明（设计）人： | 末代知子;押野雄一;田中文悟 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层上设置在单元部与单元部外侧设置着的终端部的交界；第二导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层上设置在所述终端部；第一绝缘层，在所述第一半导体层上设置在所述第三与第二半导体层之间；第二绝缘层，在所述第一半导体层上设置在相对于所述第三半导体层与所述第一绝缘层相反的侧；第一导电型的第四半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二绝缘层之间；层间绝缘膜，在所述第一半导体层上与所述第二、第三半导体层、所述第一、第二绝缘层相接而设置；以及多个场板电极，设置在所述层间绝缘膜内，与所述第一半导体层的距离彼此不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包括：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，在所述第一半导体层上，设置在单元部与单元部的外侧设置着的终端部的交界；第二导电型的第三半导体层，在所述第一半导体层上，设置在所述终端部；第一绝缘层，在所述第一半导体层上，设置在所述第三半导体层与所述第二半导体层之间；第二绝缘层，在所述第一半导体层上，设置在相对于所述第三半导体层与所述第一绝缘层相反的侧；第一导电型的第四半导体层，设置在所述第一半导体层与所述第二绝缘层之间；层间绝缘膜，在所述第一半导体层上，与所述第二半导体层、所述第三半导体层、所述第一绝缘层及所述第二绝缘层相接而设置；以及多个场板电极，设置在所述层间绝缘膜内，与所述第一半导体层的距离彼此不同。
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