[发明专利]IGBT器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510098038.1 | 申请日： | 2015-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN104637996B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 韩健;顾悦吉;刘慧勇 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种IGBT器件及其制造方法，所述IGBT器件具有空穴通路结构，所述IGBT器件的发射区与所述IGBT器件的发射极金属电极之间串联有发射区镇流电阻。本发明的IGBT器件能够同时改善空穴电流和电子电流，提高常温与高温环境下IGBT器件的抗闩锁能力和短路能力。另外，本发明还提供了该IGBT器件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种IGBT器件，所述IGBT器件具有空穴通路结构，其特征在于，所述IGBT器件的发射区与所述IGBT器件的发射极金属电极之间串联有发射区镇流电阻，所述IGBT器件的版图平面具有相互垂直的X方向和Y方向，所述IGBT器件包括：多个栅极，在版图平面内沿Y方向延伸；N型电阻区，在版图平面内沿Y方向延伸，且位于相邻栅极之间，所述N型电阻区作为所述发射区镇流电阻；所述发射区镇流电阻具有正温度系数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州士兰集成电路有限公司，未经杭州士兰集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510098038.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
