[发明专利]半导体元件

摘要

实施方式提供一种抑制了漏电流的半导体元件。该半导体元件具备：半导体基板；半导体层，设于半导体基板的上方，具有：第一区域，具有第一部分和第二部分，该第二部分在相对于半导体基板和半导体层的层叠方向垂直的第一方向上与第一部分排列；第二区域，设于第一部分的表面，具有第一导电型；第三区域，在第一部分的表面设于第二部分与第二区域之间，与第二部分及第二区域分离，具有第二导电型；第四区域，在第一部分的表面设于第二部分与第三区域之间，与第二部分邻接，具有第一导电型；以及第五区域，设于第四区域的表面，具有第二导电型；第一电极，在半导体层上设于第五区域与第二部分之间；以及第一绝缘膜，设于半导体层与第一电极之间。

主权项

一种半导体元件，该半导体元件具备：半导体基板；半导体层，设于所述半导体基板的上方，该半导体层具有：第一区域，具有第一部分和第二部分，该第二部分在相对于所述半导体基板和所述半导体层的层叠方向垂直的第一方向上与所述第一部分排列；第二区域，设于所述第一部分的表面，并具有第一导电型；第三区域，在所述第一部分的表面设于所述第二部分与所述第二区域之间，与所述第二部分及所述第二区域分离，并具有第二导电型；第四区域，在所述第一部分的表面设于所述第二部分与所述第三区域之间，与所述第二部分邻接，并具有所述第一导电型；以及第五区域，设于所述第四区域的表面，并具有所述第二导电型；第一电极，在所述半导体层上设于所述第五区域与所述第二部分之间；以及第一绝缘膜，设于所述半导体层与所述第一电极之间。