[发明专利]低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管及显示装置，由于非晶硅薄膜上覆盖有氧化硅薄膜，利用氧化硅薄膜作为保温层，使非晶硅薄膜的温度可以得到保持，有利于非晶硅的晶化。由于预设区域是要形成低温多晶硅薄膜的区域，因此位于预设区域内的氧化硅薄膜的厚度较厚，以较好的保持晶化处理时预设区域内的非晶薄膜的温度，从而保证预设区域内形成的多晶硅的晶粒尺寸较大；并且，在除了预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度较薄，可以避免其它区域内的非晶硅薄膜的温度的温度急剧下降、造成预设区域边界处晶化环境不稳定，从而影响预设区域边界处形成的多晶硅的晶粒尺寸的均匀性。

主权项

1.一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成非晶硅薄膜；形成覆盖所述非晶硅薄膜的氧化硅薄膜的图形，其中，位于预设区域内的所述氧化硅薄膜的厚度大于除了所述预设区域之外其它区域内的氧化硅薄膜的厚度；其中，位于所述预设区域内的氧化硅薄膜的厚度为5nm～20nm；采用准分子激光照射所述氧化硅薄膜，使所述非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜，其中，位于所述预设区域内的初始多晶硅薄膜为目标低温多晶硅薄膜；在所述非晶硅薄膜形成初始多晶硅薄膜之后，还包括：去除所述初始多晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜；对所述初始多晶硅薄膜进行氢化处理；对经过氢化处理后的初始多晶硅薄膜进行构图，保留位于所述预设区域内的初始多晶硅薄膜，去除除了所述预设区域之外其它区域内的初始多晶硅薄膜，得到目标低温多晶硅薄膜。