[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201510093186.4 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105990417A | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | 大麻浩平;吉冈启;矶部康裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够使耐压提高的半导体装置。根据实施方式，提供一种半导体装置，其包含第一半导体层、设置在第一半导体层上的第二半导体层、设置在第二半导体层上的源极电极及漏极电极、栅极电极、以及第一场板电极。第二半导体层包含第一半导体部分、及薄于第一半导体部分的第二半导体部分。源极电极及漏极电极与第二半导体层电连接。栅极电极在源极电极与漏极电极之间设置在第二半导体层上。第一场板电极设置在第二半导体层上，且包含导电部。导电部在沿着从第一半导体层向第二半导体层的第一方向观察时，设置在栅极电极与漏极电极之间。导电部的端部的至少一部分位于第二半导体部分上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包含：第一半导体层；第二半导体层，设置在所述第一半导体层上，且包含第一半导体部分、及薄于所述第一半导体部分的第二半导体部分；源极电极，设置在所述第二半导体层上，且与所述第二半导体层电连接；漏极电极，设置在所述第二半导体层上，且与所述第二半导体层电连接；栅极电极，在所述源极电极与所述漏极电极之间设置在所述第二半导体层上；以及第一场板电极，设置在所述第二半导体层上，且包含在沿着从所述第一半导体层向所述第二半导体层的第一方向观察时，设置在所述栅极电极与所述漏极电极之间的导电部，所述漏极电极侧的端位于所述第二半导体部分上，所述源极电极侧的端位于所述第一半导体部分上。
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