[发明专利]晶体管、集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201510093042.9 | 申请日： | 2015-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN105990431B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张家豪;谢明山;陈振隆;连万益;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/488;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了晶体管、集成电路和制造集成电路的方法。在各个实施例中，晶体管包括源电极、至少一个半导体沟道、栅电极、漏电极和漏极焊盘。源电极设置在衬底中。半导体沟道基本垂直于源电极延伸。栅电极环绕半导体沟道。漏电极设置在半导体沟道的顶部上。漏极焊盘设置在漏电极上，其中，漏极焊盘包括多个导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：源电极，设置在衬底中；至少一个半导体沟道，基本垂直于所述源电极而延伸；栅电极，环绕所述半导体沟道；漏电极，设置在所述半导体沟道的顶部上；以及漏极焊盘，设置在所述漏电极上，其中，所述漏极焊盘包括多个导电层和硅化物层，其中，所述漏电极嵌入在所述硅化物层内，所述硅化物层嵌入在所述多个导电层内，并且所述多个导电层中的下面的导电层均嵌入在上面的导电层内。
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