[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201510087358.7 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105095124A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 金载镒 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体存储装置可以包括：数据转换控制块，配置成响应于训练控制信号而控制使能的管道输入控制信号的数量和使能的管道输出控制信号的数量。半导体存储装置还可以包括数据转换块，配置成响应于所述管道输入控制信号和所述管道输出控制信号而接收并行数据且输出串行数据。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：数据转换控制块，配置成响应于训练控制信号而控制使能的管道输入控制信号的数量和使能的管道输出控制信号的数量；以及数据转换块，配置成响应于所述管道输入控制信号和所述管道输出控制信号而接收并行数据且输出串行数据。
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