[发明专利]低应力多晶硅薄膜的制作方法在审
| 申请号： | 201510086706.9 | 申请日： | 2015-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN104681413A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 李琳松 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体薄膜材料的制作方法，尤其是一种低应力多晶硅薄膜的制作方法，属于半导体领域，该低应力多晶硅薄膜的制作方法通过先确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值，然后计算得出成膜温度和退火温度，最后通过分别在成膜温度和退火温度条件下进行淀积和退火工艺以得到所需要的低应力多晶硅薄膜，相对现有技术来说，该制作方法简化了工艺流程，节省了作业时间，降低了成本，提高了效率。 | ||
| 搜索关键词： | 应力 多晶 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
一种低应力多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：S1：确定需要制备的低应力多晶硅薄膜的应力值；S2：根据所需应力值计算得出成膜温度和退火温度，其中，所述成膜温度为正应力成膜温度或负应力成膜温度，所述退火温度为正应力退火温度或负应力退火温度；S3：在成膜温度的条件下，淀积多晶硅；S4：在退火温度的条件下，对步骤S3中的多晶硅进行退火处理以所需要的得到低应力多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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