[发明专利]集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201510072875.7 | 申请日： | 2015-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104701386B | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 高建宁;陈芳林;戴小平;蒋谊;郭润庆;张弦 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L21/265;H01L21/263;H01L21/225 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 朱绘;张文娟 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P+型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承受反向关断di/dt的能力，能承受500A/μs以上的反向关断di/dt；采用质子辐照和电子辐照的配合工艺方法，使FRD的反向恢复时间trr在7μs以下时，反向恢复特性中的软度因子S≥1.0。本发明方法工艺新颖，流程简单，使用独特的工艺技术使之能承受较高的反向关断di/dt，同时反向恢复时，软特性良好，实际应用证明与IGCT器件配套使用的可靠性高，使FRD产品的产量和成品率都得到了保证。 | ||
| 搜索关键词： | 关断 集成门极换流晶闸管 快恢复二极管 反向恢复特性 反向恢复时 电子辐照 反向恢复 工艺技术 杂质分布 质子辐照 不均匀 成品率 硼离子 软特性 预沉积 整流管 纵横向 软度 配套 制造 配合 应用 保证 | ||
【主权项】：
1.一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管，其为P+ /N- /N+ 型结构，能够承受反向重复峰值电压为4500-7000V，额定正向平均电流为400-2500A，反向关断电流变化率为500-5000A/μs，反向恢复时间为3-7μs，且软度因子≥1.0；其中，集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的处理包括：对预处理硅片进行铝预沉积和硼离子注入，然后再进行硼铝推进；以及质子照射和电子照射。
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