[发明专利]具有离子束导向单元的注入装置、半导体器件及制造方法有效
| 申请号： | 201510070660.1 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN104835711B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | A·布雷梅瑟;S·福斯;H-J·舒尔策;W·舒斯特德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/12;H01L21/265;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种离子注入装置包括离子束导向单元、衬底支撑和控制器。该控制器被配置为在经过离子束导向单元的离子束和衬底支撑之间产生相对运动。离子束在衬底上的束轨迹包括圆或螺旋，衬底被装配在衬底支撑上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 离子束 导向 单元 注入 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种离子注入装置，包括：离子束导向单元；衬底支撑；以及控制器，其被配置为在所述衬底支撑与经过所述离子束导向单元的离子束之间产生相对运动，其中所述离子束在衬底上的束轨迹包括圆或螺旋，所述衬底被装配在所述衬底支撑上，其中所述衬底包括：圆形晶片级半导体主体；以及圆形注入区，其具有围绕所述半导体主体的中心点径向变化的掺杂，其中所述圆形注入区直接邻接基座层，所述基座层直接邻接所述半导体主体的基底区，以及所述基座层中的杂质浓度等于或者大于所述基座层和包含金属的电极之间的欧姆接触的最小杂质浓度，所述包含金属的电极直接邻接所述基底区。
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