[发明专利]一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备有效
申请号: | 201510069959.5 | 申请日: | 2015-02-10 |
公开(公告)号: | CN104617113B | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 秦纬 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/324;H01L21/67 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基板及用于对其进行退火的退火方法、退火设备,涉及显示技术领域,能够进一步改善薄膜晶体管阈值电压漂移的现象。本发明实施例提供的基板包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的有源层的材质为氧化物半导体,所述薄膜晶体管的栅极电连接所述栅线,所述基板还包括至少一个栅极信号输入端子,所述栅极信号输入端子电连接所述栅线。本发明实施例还提供了一种基板的退火方法和退火设备。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 进行 退火 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种基板,包括衬底基板和位于所述衬底基板上的栅线和薄膜晶体管,所述薄膜晶体管的有源层的材质为氧化物半导体,所述薄膜晶体管的栅极电连接所述栅线,其特征在于,所述基板还包括至少一个栅极信号输入端子,所述栅极信号输入端子在所述基板进行退火时电连接所述栅线,并向所述栅极信号输入端子输入栅极信号,使所述薄膜晶体管的有源层中的缺陷向有源层与栅极绝缘层之间的界面处移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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