[发明专利]NLDMOS的制造方法

摘要

本发明公开了一种NLDMOS的制造方法，在硅衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述硅衬底表面淀积栅介质层和多晶硅栅后，包括步骤采用光刻工艺定义出P型体区的形成区域；采用刻蚀工艺将P型体区的形成区域的深N阱表面露出；依次进行二次P型离子注入和一次N型离子注入；进行快速热退火推进形成P型体区；光刻刻蚀形成栅极结构；在栅极结构的侧面形成侧墙；进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区。本发明能降低源漏导通电阻。

主权项

一种NLDMOS的制造方法，其特征在于：在硅衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述硅衬底表面淀积栅介质层和多晶硅栅后，包括步骤：步骤一、采用光刻工艺定义出P型体区的形成区域；步骤二、采用刻蚀工艺依次去除所述P型体区的形成区域的所述多晶硅栅和所述栅介质层，并将所述深N阱表面露出；步骤三、依次进行第一次P型离子注入、第二次P型离子注入和第三次N型离子注入，所述第二次P型离子注入的注入能量小于所述第一次P型离子注入的注入能量，所述第二次P型离子注入的注入剂量大于所述第一次P型离子注入的注入剂量，所述第三次N型离子注入的注入能量小于所述第二次P型离子注入的注入能量；步骤四、进行快速热退火推进，由所述第一次P型离子注入和所述第二次P型离子注入的P型杂质推进后形成所述P型体区，所述P型体区延伸到所述多晶硅栅底部的区域表面用于形成沟道，所述第三次N型离子注入的N型杂质推进后在所述P型体区表面形成一第一N型区，所述第一N型区延伸到所述多晶硅栅底部的距离小于所述P型体区延伸到所述多晶硅栅底部的距离；步骤五、采用光刻工艺定义出栅极区域，采用刻蚀工艺将栅极区域外的所述多晶硅栅和所述栅介质层去除，栅极结构由刻蚀后的所述栅介质层和所述多晶硅栅叠加形成；步骤六、在所述栅极结构的侧面形成侧墙；步骤七、进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区，所述源区形成于所述P型体区中并和所述P型体区上的所述多晶硅栅侧面的侧墙自对准，所述第一N型区和所述源区相叠加并用于增加所述源区自对准的所述多晶硅栅侧面的侧墙底部的N型掺杂浓度并降低导通电阻。